東芝研究データ流出事件
東芝研究データ流出事件(とうしばけんきゅうデータりゅうしゅつじけん)とは、東芝(当時,【現】キオクシア.)[C 1]とサンディスク(SanDisk)が合弁事業で行っていたNAND型フラッシュメモリに関する研究開発ーに関する営業秘密が同業のハイニックスセミコンダクター(하이닉스반도체)(当時,【現】SKハイニックス(SK하이닉스).)[C 1]に漏洩した事件である。
本事件は、2014年03月13日にサンディスクの元従業員[C 2]が不正競争防止法違反(営業秘密開示)の容疑で警視庁に逮捕された[R 1]ことで、世間に広く認知されることとなった。
経緯
編集本事件を引き起こしたこの人物は、大学を卒業して、ハイニックスセミコンダクターとは別の韓国企業など半導体関連会社数社に勤務した後にサンディスク(の日本法人)に採用された[R 2]。 この者は、当時の勤務先であった四日市工場で製品の故障原因の解析を担当しており[R 2]、2007年に降格処分を受けたことに不満を募らせ、2007年04月から翌年の05月にかけて最新の研究データをUSBフラッシュドライブに無断でコピーして持ち出した。 「転職を有利にするため、優秀な研究者に見えるようにデータを利用した」[R 3]や「大金を手にしたので、残りの人生は遊んで暮らす」[R 4]および「事実は全て間違いありません」[R 2]との供述が捜査関係者から挙げられている。
不正に持ち出されたデータは、少なくとも2008年07月と2010年04月に亘ってハイニックスセミコンダクターに渡った[R 5]。 ハイニックスセミコンダクター側に対して、この者は、コピーしたデータを基に作成した資料をスライドで上映しての多数の人物に見せたり、開発担当者に電子メールで送っていた[R 3]。 この者は、2008年05月にサンディスクを自己都合退職し、サンディスクでの給与の2倍以上の給与を提示してきたハイニックスセミコンダクターの研究部門に2008年07月に転職し2011年06月に退職した(事実上の解雇)[R 6]。
本事件の容疑者逮捕の翌日の2014年03月14日に、この者に対して公判が開始された[R 7]。 第一審においては、2015年03月09日に東京地方裁判所から、「極めて悪質な営業秘密の開示。犯行によって東芝の競争力が相当程度低下した」として、懲役5年および罰金300万円の判決が被告に下された[R 8]。 弁護側は「持ち出した情報の有用性はそれほど高くなく、刑は重すぎる」として控訴したが、2015年09月04日に東京高等裁判所が「データは、信頼性の高い製品を低コストで製造するため必要不可欠な情報だった」として一審の東京地裁判決を支持し弁護側の控訴を棄却した[R 5]ことで、判決が確定した。
同じく、容疑者逮捕翌日の2014年03月14日に東芝とサンディスクの両社からSKハイニックスに対して、不正競売防止法に基づいて1090億円余りの損害賠償と持ち出されたデータを利用したとされるNAND型フラッシュメモリの製造や販売の差し止めを求めた民事訴訟が提起された[R 9][R 10]。 SKハイニックスは当初は本事件の犯人が不正に持ち出した東芝のデータにより製品の製造や販売をしているという事実はないと争う姿勢をとっていたが、最終的にはSKハイニックスは東芝に対して2億7800万USドルを支払うことで和解した[R 10]。 東芝は、技術進歩が速い半導体産業において未来の技術への開発投資を軽減する目的でSKハイニックスとMRAMを共同開発しており、裁判を長期化させるよりも、SKハイニックスとの関係を早期に回復させた方が得策であると判断したと見られる[R 10]。
補足
編集遡ること1996年から東芝のDRAMとNAND型フラッシュメモリの特許をハイニックスセミコンダクターが使用するライセンス契約が結ばれていたが、この契約が2002年に期限を迎えたため東芝は再契約についてハイニックスセミコンダクターと交渉していた。[R 11] しかし、ハイニックスセミコンダクターはライセンス契約が切れた状態でもDRAMとNANDフラッシュメモリの生産と販売を継続したために、東芝は特許権侵害差止等と損害賠償でハイニックスセミコンダクターを提訴した。 2006年03月24日に東京地方裁判所からハイニックスセミコンダクター製のNAND型フラッシュメモリの国内輸入と販売を差し止めと784万円の損害賠償の支払いを命じる判決が下され[R 12]、2007年3月に両社は半導体技術に関する特許クロスライセンス契約と製品供給契約を締結した[R 13]。
つまり、本件の情報漏洩事件は上記の特許事件の直後に発生したことになる[R 11]。
ハイニックスセミコンダクターは、本事件が起こる直前の2006年02月の国際固体回路会議(International Solid-State Circuits Conference)(ISSCC)での発表でNAND型フラッシュメモリの記憶容量で2倍の差をつけられていることからも明らかなように、技術開発において東芝に対して明らかに後塵を拝していた[R 11]。
ハイニックスセミコンダクターの2007年版年次報告書で自身で言及している[R 11]ように、NAND型フラッシュメモリ技術におけるハイニックスセミコンダクターの他社との技術格差は2009年から2010年にかけて急速に縮まった。 また、本情報漏洩事件の民事訴訟における賠償請求額1090億円余りに対して、和解金は2億7800万USドル(約330億円)とSKハイニックスの四半期営業利益に相当する程の高額であった[R 7]。 しかし、和解の内容は公開されておらず[R 14]、この理由は公表されていない。
注釈
編集出典
編集- ^ “東芝、怒りの提訴 韓国企業に断固たる措置 1000億円以上の利益喪失”. zakzak (産業経済新聞社). (2014年3月14日). オリジナルの2017年12月10日時点におけるアーカイブ。
- ^ a b c “東芝データ流出で元技術者逮捕、韓国企業に提供容疑”. 読売新聞オンライン (読売新聞社). (2014年3月15日). オリジナルの2014年3月21日時点におけるアーカイブ。
- ^ a b “東芝研究データ流出、元技術者を起訴 不正競争防止法違反罪で東京地検”. SankeiBiz (産業経済新聞社). (2014年4月3日). オリジナルの2020年11月24日時点におけるアーカイブ。
- ^ “「大金手にした。一生遊べる」…逮捕の元技術者”. 読売新聞オンライン (読売新聞社). (2014年3月14日). オリジナルの2014年3月19日時点におけるアーカイブ。
- ^ a b “データ漏洩、二審も実刑判決 東芝提携先の元技術者”. 日本経済新聞 (日本経済新聞社). (2015年9月5日)
- ^ “「狙いは技術」使い捨ての韓国企業 危うい引き抜きの実態 東芝技術流出事件”. zakzak (産業経済新聞社). (2014年3月28日). オリジナルの2016年7月19日時点におけるアーカイブ。
- ^ a b “韓国企業に1兆ウォン規模の特許訴訟、本当の狙いは?”. 2014年7月23日閲覧。
- ^ “東芝データ漏洩、元技術者に懲役5年 東京地裁判決「競争力に影響」”. 日本経済新聞 (日本経済新聞社). (2015年3月10日)
- ^ "韓国SKハイニックス社に対する訴訟の提起について" (Press release). 東芝. 13 March 2014.
- ^ a b c “東芝、SKハイニックスとの和解を発表”. 財経新聞 (財経新聞社). (2014年12月23日)
- ^ a b c d “東芝からSK Hynixに不正流出したNANDフラッシュ技術”. Impress Watch (インプレス). (2014年3月24日)
- ^ 東京地方裁判所判決 2006-03-24 、平成16年(ワ)第23600号 & 平成17年(ワ)第24177号、『特許権侵害差止等請求および損害賠償請求』。
- ^ "東芝と韓国·ハイニックスセミコンダクター社間の特許クロスライセンス契約と製品供給契約の締結について" (Press release). 東芝. 20 March 2007.
- ^ 「東芝研究データ流出事件に見る営業秘密保護方策の変遷」『技術倫理研究』第14巻、名古屋工業大学技術倫理研究会、2017年、31-39頁。