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ファイル:Locos (microtechnology) process recessed.svg

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概要

解説
English: The image illustrates the LOCOS technology used in microfabrication mostly to create isolating structures.

I. Preparation of silicon substrate II. CVD deposition of SiO2, pad/buffer oxide III. CVD deposition of Si3N4, nitride mask IV. Etching of nitride layer and silicon oxide layer V. Silicon etch VI. Thermal growth of silicon oxide VII. Furhter growth of thermal silicon oxide VIII. Removal of nitride mask

1) Si, silicon substrate 2) SiO2, pad/buffer oxide, chemical vapor deposition silicon oxide 3) Si3N4, nitride mask

4) SiO2, isolation oxide, thermal oxide
日付
原典 投稿者自身による著作物
作者 Twisp

ライセンス

Public domain この作品の著作権者である私は、この作品についての権利を放棄しパブリックドメインとします。これは全世界で適用されます。
一部の国では、これが法的に可能ではない場合があります。その場合は、次のように宣言します。
私は、あらゆる人に対して、法により必要とされている条件を除き、如何なる条件も課すことなく、あらゆる目的のためにこの著作物を使用する権利を与えます。

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題材

成立日

19 1 2008

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日付と時刻サムネイル寸法利用者コメント
現在の版2009年12月14日 (月) 19:082009年12月14日 (月) 19:08時点における版のサムネイル512 × 929 (31キロバイト)Cepheidensome fixes
2008年1月19日 (土) 20:242008年1月19日 (土) 20:24時点における版のサムネイル625 × 1,169 (64キロバイト)Twisp{{Information |Description= {{en|The image illustrates the LOCOS technology used in microfabrication mostly to create isolating structures. I. Preparation of silicon substrate II. CVD deposition of SiO2, pad/buffer oxide III. CVD deposition of Si3N4, ni

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