ジョン・L・モル
ジョン・ルイス・モル（John Louis Moll、1921年12月21日 - 2011年7月21日）はアメリカ合衆国の電子技術者。固体物理学への貢献で知られる。
| ジョン・L・モル John L. Moll | |
|---|---|
| 生誕 |
1921年12月21日 アメリカ合衆国オハイオ州フルトン郡 |
| 死没 |
2011年7月19日（89歳没） アメリカ合衆国カリフォルニア州パロアルト |
| 居住 |
アメリカ合衆国 |
| 国籍 |
アメリカ合衆国 |
| 主な業績 |
Ebers–Moll model MOS diode Step recovery diode サイリスタ |
| 主な受賞歴 | エジソンメダル(1991年) |
| プロジェクト:人物伝 | |
経歴
編集オハイオ州フルトン郡のWauseonに、メノナイトで農民の両親の間に生まれ、オハイオ州立大学で1943年に物理学の学士号を取得し、1944～45年にはランカスターのRCA研究所に在籍していた。1952年にオハイオ州立大学で電気工学の博士号を取得した。
1952年から1958年まで、ベル研究所で半導体技術の研究グループを率いた。そこで、半導体材料としてのシリコンの優位性を認識し、二酸化ケイ素によるトランジスタのマスキング、ガス拡散によるドーピング、半導体-金属コンタクトなどの技術開発に関わった[1]。
1958年から1972年までスタンフォード大学の教授を務めた。1970年からフェアチャイルドセミコンダクター社、1974年から1996年に退職するまでヒューレット・パッカード社に在籍した。
バイポーラトランジスタの動作を数学的に説明する、Ebers-Mollモデル[2]は、エバースとモルにちなんで命名された[3]。また二人は1950年代半ばにサイリスタを開発したパイオニアでもある（モルは1956年にpnpn構造として実現）[4]。
受賞・栄典
編集- 1964年 - グッゲンハイム・フェロー選出
- 1967年 - ハワード・N・ポッツ・メダル
- 1971年 - J J Ebers Award
- 1989年 - IEEE Lamme Medal
- 1991年 - エジソンメダル（拡散型および酸化膜マスク型シリコンデバイス、トランジスタ解析、p-n-p-nスイッチ、オプトエレクトロニクスへの先駆的な貢献に対して」[5]）
- 1997年 - C&C賞
脚注
編集- ^ ニック・ホロニアック The origin of diffused silicon technology at Bell Labs 1954-55, The Electrochemical Society Interface, Herbst 2007, pdf
- ^ Cel, J. (1月 2002年). “Ebers-Moll model of bipolar transistor with idealized diodes”. International Journal of Electronics Vol. 89, No. 1: p.7-18.
- ^ J. J. Ebers, J. L. Moll Large signal behavior of junction transistors, Proceedings of the Institute of Radio Engineers, Band 42, 1954, S. 1761–1772
- ^ Kirpal: Chronik Elektrotechnik - Halbleiter, Transistoren, Mikroelektronik (Memento des Originals vom 1. 2月 2014 im Internet Archive)
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- ^ a b “John L. Moll”. IEEE History Network. 2011年3月1日閲覧。
参考文献
編集- Dr. John Moll Wins C&C Prize. Hewlett-Packard. Accessed 2011-03-01.
- J.J. Ebers & J.L. Moll (1954) "Large signal behavior of junction transistors", Proceedings of the Institute of Radio Engineers 42(12):1761–72.
- Obituary. Accessed 2011-08-04.
- “John L. Moll died Tuesday”. Los Altos Town Crier. 2011年8月4日閲覧。