多値記憶素子

単一ビットよりも多くの情報を格納し得る記憶セル若しくは記憶素子。

電子工学において、記憶素子当たり1ビットしか格納し得ない単値記憶素子(SLC)に対して、多値記憶素子(MLC)は単一のビットよりも多くの情報を格納し得る記憶素子である。

SLC, MLC, TLC, QLC, PLC shown with all possible bit combinations per cell type
記憶素子を比べた場合の違い。

記憶素子は大抵単体の浮遊ゲートMOSFET(金属酸化物半導体電解効果トランジスタ)の組み合わせである、従って多値記憶素子は、単値記憶素子と同じデータの総量を必要とする場合、複数のMOSFETの個数を減らす。

脚注 編集

関連項目 編集